Nova técnica de colagem de wafers acelera o tráfego de dados (imagem: reprodução/Samsung)
Resumo
A Samsung anunciou uma nova geração de memórias 3D para inteligência artificial, incluindo a arquitetura zHBM, que empilha memória verticalmente sobre os chips de processamento, reduzindo a distância e aumentando a velocidade de transferência de dados.
A nova tecnologia oferece até oito vezes mais velocidade e triplica a eficiência energética.
A Samsung também apresentou a memória LPDDR5X-PIM, que permite processamento direto na memória, e o padrão de memória V10 BV-NAND, que aumenta a densidade em 58%.
A tecnologia deve ser usada por grandes empresas de IA, como OpenAI, Microsoft e Google, mas pode impactar também a produção de memórias tradicionais e o preço de eletrônicos.
A Samsung divulgou nesta quarta-feira (5), durante a conferência Future of Memory and Storage 2026, a nova geração de memórias 3D voltadas para o setor de inteligência artificial. Com a promessa de acelerar o processamento de dados, a companhia apresentou a nova arquitetura zHBM e alcançou um marco histórico ao empilhar mais de 400 camadas de células de armazenamento no mesmo chip.
Até então, nos sistemas de IA, os módulos de memória ficavam instalados ao lado dos processadores. A nova tecnologia muda essa geografia ao empilhar a memória verticalmente direto sobre os chips de processamento.
A redução na distância faz com que os dados viajem de forma mais eficiente. Segundo a companhia, o desempenho de transferência de arquivos fica até oito vezes mais rápido, além de triplicar a eficiência energética.
Por que isso importa para os servidores de IA?
Treinar grandes modelos de linguagem (LLMs) exige processar bilhões de parâmetros. O maior gargalo desses servidores não é apenas o poder bruto de processamento da CPU ou GPU, mas sim a velocidade com que a memória consegue fornecer as informações. Se a memória é lenta, o processador fica parado, esperando a chegada dos dados para continuar trabalhando.
Ao multiplicar a taxa de transferência, a Samsung elimina parte desse gargalo. A novidade entrega o que gigantes como OpenAI, Microsoft e Google precisam para tornar seus data centers mais rápidos e, consequentemente, mais baratos de operar em larga escala.
O lançamento também coloca a fabricante em posição de vantagem como fornecedora para o concorrido ecossistema da IA. Só no último trimestre, a divisão responsável pela fabricação de chips de memória registrou um salto de 56% nas vendas.
Processamento direto na memória e novo recorde
Novidade promete desempenho até oito vezes maior em servidores de IA (imagem: reprodução/Samsung)
Além das soluções voltadas para servidores, a companhia também apresentou a memória LPDDR5X-PIM, a primeira da indústria com a tecnologia Processing-in-Memory (PIM). Ela permite que o próprio chip de memória faça cálculos de dados, evitando o trânsito constante de informações com o processador do dispositivo e economizando energia, algo essencial para o segmento de dispositivos móveis.
Outro recorde tecnológico exibido no evento foi o novo padrão de memória V10 BV-NAND, voltado para armazenamento, que teve um saldo de 58% na densidade. A empresa conseguiu empilhar mais de 400 camadas de células em um único componente.
Novo padrão V-NAND da Samsung aumentará desempenho de futuros SSDs (imagem: reprodução/Samsung)
E o consumidor?
Embora os recordes sejam promissores, a maior parte desta tecnologia será absorvida pelo mercado de IA. Atualmente, a Samsung e a concorrente SK Hynix dominam a produção global de memória e já operam no limite da capacidade industrial. Como a prioridade é produzir os lucrativos chips de IA, a fabricação de memórias tradicionais ficou em segundo plano.
A escassez de componentes básicos nas linhas de montagem gera um efeito dominó. Com menos memórias à disposição nos estoques, os custos de produção sobem. O resultado final é o encarecimento de celulares, consoles e notebooks, entre outros eletrônicos, pesando direto no bolso do consumidor.
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